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基于電流跟蹤控制的高壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器研制

時(shí)間:2024-07-24 01:38:12 理工畢業(yè)論文 我要投稿
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基于電流跟蹤控制的高壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器研制

摘要:針對(duì)高壓鈉燈工作特點(diǎn)以及工作在高頻狀態(tài)下的缺陷,采用電流跟蹤技術(shù),設(shè)計(jì)了一種低頻高壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器,并設(shè)計(jì)了可靠的邏輯控制啟動(dòng)電路。最后,給出實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

引言

高壓鈉燈(HPS燈)是一種性能優(yōu)異的高強(qiáng)度氣體放電燈(HID燈),其優(yōu)點(diǎn)是光效高、壽命長、光色好,所以應(yīng)用廣泛。與所有的氣體放電電光源一樣,高壓鈉燈也呈負(fù)V-I特性,需要鎮(zhèn)流器來抑制燈電流,而且啟動(dòng)時(shí)需要3~4kV的氣體擊穿電壓。傳統(tǒng)的電感鎮(zhèn)流器體積大,功率因數(shù)低(只能達(dá)到0.3~0.4),而且對(duì)電網(wǎng)電壓波動(dòng)的適應(yīng)能力不強(qiáng),所以,研制性價(jià)比較高的電子鎮(zhèn)流器以取代電感鎮(zhèn)流器是大勢(shì)所趨,F(xiàn)已研制的高壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器大都是高頻電子鎮(zhèn)流器,在高頻狀態(tài)下,高壓鈉燈容易熄弧,并存在聲共振問題。為避免聲共振,工作頻率需要時(shí)刻圍繞中心頻率上下變化,但這給控制造成不小的困難,為此本文提出了一種基于電流跟蹤控制的低頻電子鎮(zhèn)流器。

1 控制原理與電路分析

電路原理框圖如圖1所示。主電路分為兩級(jí),第一級(jí)為整流及APFC(有源功率因數(shù)校正電路),第二級(jí)為逆變電路?梢钥闯觯娮渔(zhèn)流器實(shí)質(zhì)上是一個(gè)典型的AC/DC/AC變換電路。

1.1 整流及APFC

二極管不控整流的輸入電壓雖然是正弦的,但輸入電流卻嚴(yán)重畸變,大量使用會(huì)給電網(wǎng)造成嚴(yán)重危害。同時(shí)輸入電流諧波生成的噪聲也會(huì)影響電路運(yùn)行。APFC能使電路輸入功率因數(shù)提高到0.95以上;輸入電流基本為正弦波,諧波含量大大減少。這里采用UC3854控制的Boost電路作為APFC電路(圖2)。UC3854是美國Unitrode公司生產(chǎn)的高功率因數(shù)校正芯片,此芯片采用電壓電流雙閉環(huán)控制,電流內(nèi)環(huán)使用平均電流模式控制。電壓檢測(cè)信號(hào)和同步信號(hào)相乘作為電流給定,Rs為電流檢測(cè)電阻。輸出電壓可在較大范圍內(nèi)進(jìn)行控制,根據(jù)后一級(jí)需要,這里控制在380V。UC3854以及控制電路的電源來自輔助電源,輔助電源是由脈寬調(diào)制器UC3844控制的反激變換器構(gòu)成的,它可提供多路輸出。

1.2 逆變部分及電流反饋控制

逆變電路是電子鎮(zhèn)流器最重要的部分,通常采用半橋逆變或全橋逆變電路。半橋逆變電路的輸出電壓是全橋的一半,在功率管電流相等的情況下,全橋電路的輸出功率是半橋的2倍,但多用2只功率管?紤]到400W高壓鈉燈二次觸發(fā)電壓在150~190V,且APFC輸出電壓為380V,所以,半橋電路輸出的電壓完全能夠滿足二次觸發(fā)的需要,而且半橋電路與全橋電路功率管的電壓應(yīng)力相同,但前者成本比后者低,因此,在這里采用半橋逆變電路(圖3)。

電子鎮(zhèn)流器的本質(zhì)上就是限制流過燈的電流。根據(jù)反饋控制規(guī)律,想要控制某個(gè)量,引入這個(gè)量的負(fù)反饋就可以。圖3所示的逆變電路拓?fù)鋵?shí)際上仍然是一種高頻變換器結(jié)構(gòu),為使流過高壓鈉燈的電流為低頻電流,這里采用滯環(huán)比較電流跟蹤型PWM控制。其原理如圖3虛線框內(nèi)所示,它由滯環(huán)比較器構(gòu)成。給定電流信號(hào)ig和電流反饋信號(hào)if之差ig-if作為滯環(huán)比較器的輸入,通過其輸出來控制S2和S3的通斷。設(shè)燈電流iL的方向如圖3所示,當(dāng)S2(或D2)導(dǎo)通時(shí),iL增大,當(dāng)S3(或D3)導(dǎo)通時(shí),iL減小。設(shè)滯環(huán)比較器的環(huán)寬為ΔI,若電流反饋系數(shù)為k(=if/iL),電流iL在(ig-ΔI)/k和(ig+ΔI)/k范圍內(nèi)呈鋸齒狀跟蹤給定電流,如圖4所示。為簡單起見,電流給定信號(hào)取自電網(wǎng)電壓正弦波信號(hào)。

S2和S3的切換有兩種模式,分別是雙極性切換和單極性切換。雙極性切換時(shí),無論給定電流ig處于正半周期還是負(fù)半周期S2與S3都是互補(bǔ)通斷。單極性切換時(shí),ig正半周時(shí),S3始終關(guān)斷,S2進(jìn)行斬波;負(fù)半周時(shí),S2關(guān)斷,S3斬波。單極性切換原理分析見圖4,即在t0~t1時(shí)段,S2導(dǎo)通,電流iL增大;到t1時(shí)刻,iL增大到比〔ig(t1)+ΔI〕/k略大一點(diǎn),滯環(huán)比較器動(dòng)作,S2關(guān)斷,電感L放電,iL經(jīng)電容C2,二極管D3續(xù)流;直到t2時(shí)刻,下降到比〔ig(t2)-ΔI〕/k稍小一點(diǎn),S2再一次導(dǎo)通,iL又將增大。ig處于負(fù)半周可作同樣的分析。與雙極性切換模式相比,單極性切換有以下優(yōu)點(diǎn):

1)只有一只功率管動(dòng)作,開關(guān)損耗是雙極性切換的一半;

2)主電路各物理量的動(dòng)態(tài)應(yīng)力,如dv/dt及di/dt小于雙極性切換模式,因此,對(duì)控制電路的干擾小于雙極性電路。

但是單極性模式的控制電路要附加一些簡單的邏輯控制電路。

電感L的大小與滯環(huán)寬度2ΔI決定了開關(guān)頻率的高低。當(dāng)其它條件一定時(shí),開關(guān)頻率與電感L和滯環(huán)寬度的乘積成反比。因?yàn)楣β蔒OSFET的開關(guān)頻率很高,所以,用較小的電感即能滿足要求。

2 啟動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

啟動(dòng)電路采用邏輯控制,不須采取高壓隔離措施,簡化了主電路,并且能瞬時(shí)啟動(dòng)。工作原理如圖5所示。利用LC振蕩原理很容易產(chǎn)生高頻脈

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