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IGBT-IPM智能模塊的電路設(shè)計(jì)及在SVG裝置中的應(yīng)用
摘要:介紹了IGBT-IPM智能模塊的基本情況和功能特點(diǎn),并對該智能功率模塊的相關(guān)電路設(shè)計(jì)方法和需要注意的問題進(jìn)行了深入地分析,最后結(jié)合SVG裝置,詳細(xì)說明了該模塊的應(yīng)用,并給出了系統(tǒng)硬件結(jié)構(gòu)圖。1 引言
電力系統(tǒng)中大功率電力電子裝置的開關(guān)元件主要是晶閘管和GTO。但是,隨著近年來雙極功率晶體管及功率MOSFET的問世以及生產(chǎn)技術(shù)的成熟,這些開關(guān)元件憑借自身優(yōu)越的性能逐漸替代了晶閘管和GTO,并朝著節(jié)能、輕便、小型化的方向迅速發(fā)展。IGBT-IPM?Intelligent Power Module)智能模塊正是其中的代表之一,它將IGBT單元、驅(qū)動電路、保護(hù)電路等結(jié)合在一個模塊之中,利用這些優(yōu)越的特性可極大地提高實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)的穩(wěn)定性?同時可簡化設(shè)計(jì)的難度?縮小裝置的體積。
圖1
2。桑牵拢灾悄苣K的主要特點(diǎn)
與過去IGBT模塊和驅(qū)動電路的組合電路相比,IGBT-IPM內(nèi)含驅(qū)動電路且保護(hù)功能齊全,因而可極大地提高應(yīng)用系統(tǒng)整機(jī)的可靠性。本文將要介紹的是富士電機(jī)最新推出的R系列IPM智能功率模塊7MBP100RA-120的主要特點(diǎn)和使用情況。它除了具有體積小、可靠性高、價格低廉等優(yōu)點(diǎn)以外,還具有以下主要功能:
●內(nèi)含驅(qū)動電路。該模塊同時具有軟開關(guān)特性,可控制IGBT開關(guān)時的dV/dt和浪涌電壓;用單電源驅(qū)動時,無需反向偏壓電源;并可防止誤導(dǎo)通。關(guān)斷時,IGBT柵極低阻抗接地可防止噪音等引起VGE上升而誤導(dǎo)通;模塊中的每個IGBT的驅(qū)動電路都設(shè)計(jì)了最佳的驅(qū)動條件。
●內(nèi)含各種保護(hù)電路。每個IGBT都具有過流保護(hù)(OC)、負(fù)載短路保護(hù)(SC)、控制電源欠壓保護(hù)(UV)和過熱保護(hù)(OH)等功能。
圖2
●內(nèi)含報(bào)警輸出功能。當(dāng)出現(xiàn)上述保護(hù)動作時,可向控制IPM的微機(jī)系統(tǒng)輸出報(bào)警信號。
●包含有制動電路。內(nèi)含制動單元的IPM模塊,用此單元可以抑制PN端子間的電壓升高。
圖1為該IGBT-IPM智能模塊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖,圖中的前置驅(qū)動部分包括驅(qū)動放大、短路保護(hù)、過流保護(hù)、欠壓閉鎖、管心過熱保護(hù)等功能電路。圖中,各個引腳和端子的標(biāo)號列于表1。
表1 IGBT-IPM智能模塊的腳及端子標(biāo)號
內(nèi) 容
P,N經(jīng)過整流變換平滑濾波后的主電源Vd的輸入端子。P: 端,N:-端B制動輸出端子:再生制動電阻電流的輸出端子。不用時,建議接到P或N上U,V,W模塊的3相輸出端子(1)GND U,(3)Vcc UU相上臂控制電源Vcc輸入。Vcc U: 端;GNDU:-端(4)GND V,(6)Vcc VV相上臂控制電源Vcc輸入。Vcc V: 端;GNDV:-端(7)GND W,(9)Vcc WW相上臂控制電源Vcc輸入。Vcc W: 端;GNDW:-端(10)GND,(11)Vcc下臂公用控制電源Vcc輸入。Vcc: 端;GND:-端(2)U,(5)V,(8)W下臂U,V,W相控制信號輸入(13)X,(14)Y,(15)Z下臂X,Y,Z相控制信號輸入(12)DB,(16)ALMDB為下臂相控制信號輸入,ALM為保護(hù)電路動作時的報(bào)警信號輸出3。桑牵拢灾悄苣K電路設(shè)計(jì)
IGBT智能模塊的電路設(shè)計(jì)主要分為主電源部分、光耦外圍控制部分、緩沖電路部分及散熱部分。下面分別對這四部分的設(shè)計(jì)方法和需要注意的問題進(jìn)行說明。
3.1 主電源電路
富士的IGBT-IPM模塊有很多不同的系列,每一系列的主電源電壓范圍各有不同,在設(shè)計(jì)時一定要考慮其應(yīng)用場合的電壓范圍。600V系列主電源電壓和制動動作電壓都應(yīng)該在400V以下,1200V系列則要在800V以下。開關(guān)時的最大浪涌電壓:600V系列應(yīng)在500V以下,1200V系列應(yīng)該在1000V以下,根據(jù)上述各值的范圍,使用時應(yīng)使浪涌電壓限定在規(guī)定的值內(nèi),且應(yīng)在最靠近P、N端子處安裝緩沖器(如果一個整流電路上接有多個IGBT模塊,還需要在P、N主端子間加浪涌吸收器)。雖然在模塊內(nèi)部已對外部的電壓噪聲采取了相應(yīng)的措施,但是由于噪聲的種類和強(qiáng)度不同,加之也不可能完全避免誤動作或損壞等情況,因此需要對交流進(jìn)線加濾波器,并絕緣接地,同時應(yīng)在每相的輸入信號與地(GND)間并聯(lián)1000pF的吸收電容。
3.2 光耦外圍控制部分
與主電源電路不同,外圍控制電路主要針對的是單片機(jī)控制系統(tǒng)的弱電控制部分。由于模塊要直接和配電系統(tǒng)連接,因此,必須利用隔離器件將模塊和控制部分的弱電電路隔離開來,以保護(hù)單片機(jī)控制系統(tǒng)。同時,IGBT模塊的工作狀況很大程度上取決于正確、有效、及時的控制信號。所以,設(shè)計(jì)一個優(yōu)良的光耦控制電路也是模塊正常工作的關(guān)鍵之一。根據(jù)IGBT的驅(qū)動以及逆變電路的要求?1?,模塊內(nèi)部的IGBT控制電源必須是上橋臂3組,下橋臂1組,總計(jì)4組獨(dú)立的15V直流電源。圖2是一種推薦的光耦驅(qū)動電路。
圖2中給出了幾種典型光耦驅(qū)動電路,其中三極管與光耦并聯(lián)型電路對光耦特別有利。下面是控制輸入的光耦規(guī)格要求:
●CMH=CML>15kV/μs或10kV/μs
●TPHL=TPLH<0.8ms
●CTR>15%
推薦的光耦有:
HCPL-4505,HCPL-4506
TLP759(IGM),TLP755等。
一般情況下,光耦要符合UL、VDE等安全認(rèn)證。同時最好使光耦和IGBT控制端子間的布線盡量短。由于初級和次級間常加有大的dv/dt,因此,初、次級布線不要太靠近以減小其間的耦合電容。在使用15V的直
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