計算機硬盤的存儲名詞解釋大全
硬盤的盤片是將磁粉附著在鋁合金(新材料也有改用玻璃的)圓盤片的表面上制成的,這些磁粉波劃分成被稱作“磁道”的若干個同心圓。在每個同心圓的磁道上就好像有無數(shù)的任意排列著的小磁鐵,它們分別代表0和1的狀態(tài)。當這些小磁鐵受到來自磁頭的磁力影響時,其徘列的方向會隨之改變,利用磁頭的磁力來控制指定的一些小磁鐵的方向,使每個小磁鐵都可以用來儲存信總。0盤片上的小磁鐵越多。能存儲的信息也越多。
硬盤的盤體由多個盤片(Platter)組成,這些盤片被重疊在一起,放在一個密封的盒中,它們在主軸電機的帶動下以很髙的速度旋轉(zhuǎn),其每分鐘轉(zhuǎn)速達3600、4500、5400、7200、10000轉(zhuǎn)等。在不同的硬盤內(nèi)部,其盤片的數(shù)目不一樣,少則兩片,多則數(shù)十片。一個盤片有兩個面,面的編號從fit方的盤片開始,朝上的一面標號為0,朝下的一面標號為1。第2個盤片朝上的一面標號為2,朝下為3,其余依此類推。硬盤每個盤片的每一面都有一個電磁讀寫磁頭。
1、磁面(Side)
硬盤的磁面是指一個盤片的兩個面。在硬盤中一個磁面對應一個讀寫磁頭。所以,一般來說在對硬盤進行讀寫操作時不再稱磁面0、磁面1、磁面2,而是稱其為磁頭0、磁頭1、磁頭2。
2、磁道(Track)
磁盤在格式化時波劃分成許多同心圓,其同心圓軌跡亦稱為磁道。第0面的.最外層磁道編號為0面0道,另一面的最外層磁道編號為1面0道。磁道編碼沿著磁面中心的方向增長,硬盤的磁面一般有3001024個以上的磁逆。
3、柱面(Cylinder)
在盤體中所有磁面半徑相同的同心磁道就稱為柱面,即每張磁盤上編號(位置)相同的磁道集合,如圖所示。在一般的情況下進行硬盤的邏輯盤容量劃分時,往往采用柱面數(shù)面不采用磁道數(shù)。
柱面是從最外圈柱面開始,當該柱面所有磁道用完后,再移至內(nèi)圈的一個柱面,而不是先存完一張盤再存一張盤。同系列的硬盤的柱面數(shù)是一樣的,但每個柱面包含的磁道數(shù)因磁頭數(shù)而異,計算公式為:磁道數(shù)=磁頭數(shù)x柱面數(shù)。如邁拓D740X,20GB型號由于只有一個磁頭,所以一個柱面的容董是一個磁道,而80GB型號則是4個磁頭,一個柱面的容置就是4個磁道。
以最外圈柱面為例,D740X的外圈磁道有837個扇區(qū),按每扇區(qū)512Byte計算,20GB型號的最外圈柱面的容量為418.5kB,80GB型號的最外圈柱面容量為1674kB。也就是說如果連續(xù)存儲500kB的數(shù)據(jù),20GB的硬盤就要移動磁頭進行道間尋道了,IK80GB的還不會,只是存在冏一柱面內(nèi)磁頭切換的延遲。人家可以這么認為,80GB型號中一個柱面相當于20GB型號中的4個柱面,而同一柱面內(nèi)的磁道切換速度通常要快于柱面間的切換,對提卨數(shù)據(jù)傳輸率更為有利。
4、扇區(qū)(Sector)
如果將每一個磁道視為一個圈環(huán),再把該0環(huán)等分成若干個扇形小區(qū),每一個扇形小區(qū)就是磁盤存取數(shù)據(jù)的最基本的單位一扇區(qū)。硬盤的磁面與柱面編號從0計起,而扇區(qū)則從1計起,每個磁道包含的扇區(qū)數(shù)相等。一個扇區(qū)的容董往往是512Byte,扇區(qū)的首部都包含有該扇區(qū)的惟一一地址標忐ID,扇區(qū)之間以空隙隔開,便于系統(tǒng)進行識別。
在每個磁道上劃分扇區(qū)的多少,以及扇區(qū)在磁道內(nèi)的編兮隨介質(zhì)的類型而不同。例如1.44MB的軟盤有18個扇區(qū),而大多數(shù)硬盤具有1763個以上扇區(qū)。
5、容量(Volume)
硬盤的容置由柱面數(shù)、磁頭、磁面數(shù)和扇區(qū)數(shù)確定。如果每個扇區(qū)為512Byte,其計算公式為:
硬盤容量(Byte)=柱面數(shù)x磁頭數(shù)x扇區(qū)數(shù)x512(Byte)
但是,當我們說硬盤的容董是多少兆字節(jié)(MB)或者多少千兆字節(jié)(GB)時,這其中所指的容董悄是通過轉(zhuǎn)換得來的。其轉(zhuǎn)換方法為:lkB=1024Byte,lMB=1024kB,1GB=1024MB或lkB=1000Byte,1MB=lOOOkB,1GB=1000MB。比較合理的計算方法應該是前者,但是硬盤生產(chǎn)廠商基本上邰S以后者的計總方法為單位的,甚至一些硬盤處理工具軟件也采用后者的轉(zhuǎn)換方法。例如DM等把10000Byte作為1MB,所以大多數(shù)軟件將硬盤格式化后報告的容量可能比廠商所說的容量要低一些。在選購硬盤時,硬盤容量是我們首先要考慮的性能指標。
6、每分鐘轉(zhuǎn)速(RPM,RevolutionsPerMinute)
每分鐘轉(zhuǎn)速指硬盤主軸電機(用于帶動磁盤)的轉(zhuǎn)速。比如“5400RPM”就代表該硬盤中的主軸轉(zhuǎn)速為7每分鐘5400轉(zhuǎn)(5400r/min)。工作時,磁盤在主軸電相咖帶動F,卨速旋轉(zhuǎn),而磁頭臂在音圈電機的控制下,在磁盤上方進行徑向的移動,進行尋址。
7、平均尋道時間(AverageSeekTime)
平均尋道時間指硬盤接到讀/寫指令后到磁頭移到指定的磁道(應該是柱面,怛?qū)τ诰唧w磁頭來說就是磁道)上方所需要的平均時間。如果沒有特殊說明*般指讀取時的尋道時間,單位為ms(毫秒)。除了平均尋道時間外,還有道間尋道時間(TracktoTrack或CylinderSwitchTime)與全程尋道時間(FullTrack或FullStroke),前者是指磁頭從當前磁道上方移至相鄰磁道上方所需的時間,后者是指磁頭從最外(或最內(nèi))圈磁道上方移至最內(nèi)(或外)圈磁道上方所需的時間,基本上比平均尋道時間多一倍。出于實際的工作情況,購買時我們一般只關(guān)心平均尋道時間。
8、平均潛伏期(AverageLatency)
平均潛伏期指當磁頭移動到指定磁道后,要等多長時間指定的讀/寫扇區(qū)才會移動到磁頭下方(盤片是旋轉(zhuǎn)的),盤片轉(zhuǎn)得越快,潛伏期越短。顯然,同一轉(zhuǎn)速的硬盤的平均潛伏期是固定的,7200r/min的硬盤約為4.167ms,5400r/min的硬盤約為5.556ms。
9、平均訪問時間(AverageAccessTime)
平均訪問時間有稱平均存取時間,一般在廠商公布的規(guī)格中是不會提供的,-般是測試成績中的一項,其含義是指從讀/寫指令發(fā)出到第一筆數(shù)據(jù)讀/寫時所用的平均時間,包栝了平均尋道時間、平均潛伏期與相關(guān)的內(nèi)務操作時間(如指令處理),由于內(nèi)務操作時間一般很短(一般在0.2ms左右),可忽略不計,所以平均訪問時間可近似等于平均尋道時間+平均潛伏期,因而有稱平均尋址時間。如果一個5400r/min硬盤的平均尋道時間是9ms,那么理論上它的平均訪問時間就是14.556ms。
10、數(shù)據(jù)傳輸率(DTR,DataTransferRate)
數(shù)據(jù)傳輸率的單位為MB/s(兆字節(jié)每秒,又稱MBps)或Mbits/s(兆位每秒,又稱Mbps)。DTR分為最大(Maximum)與持續(xù)(Sustained)兩個指標,根據(jù)數(shù)椐交接方的同乂分外部與內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率。內(nèi)部DTR是指磁頭與緩沖區(qū)之間的數(shù)據(jù)傳輸率,外部DTR是指緩沖區(qū)與主機(即內(nèi)存)之間的數(shù)據(jù)傳輸率。外部DTRh限憤取決于硬盤的接口,目前的UltraATA100接口(即代表外部DTR)最高理論值可達100MB/S,持續(xù)DTR則要看內(nèi)部持續(xù)DTR的水平。內(nèi)部DTR是硬盤的真正數(shù)據(jù)傳輸能力,為充分發(fā)揮內(nèi)部DTR的作ffl,外部DTR理論值會比內(nèi)部DTR高,俱內(nèi)部DTR決定了外部DTR的實阮表現(xiàn)。由于磁盤中最外圈的磁道ft長,磁頭在單位時間內(nèi)比內(nèi)圈的磁道劃過更多的扇區(qū),所以磁頭在fi外圈時內(nèi)部DTR最人,在最內(nèi)降時內(nèi)部DTR最小。
11、緩沖區(qū)容量(BufferSize)
很多人也稱之為緩存(Cache)容董,單位為MB。在一些廠商資料中還被寫為CacheBuffer.緩沖區(qū)的基本作用是平衡內(nèi)部與外部的DTR。為了減少主機等待時間,硬盤會將讀取的資料先存入緩沖區(qū),等全部讀完或緩沖區(qū)填滿后再以接口速率快速向主相L&送。隨著技術(shù)的發(fā)誠,廠商們后來為SCSI硬盤緩沖區(qū)增加了緩存功能。這主要體現(xiàn)在三個方面:
預取(Prefetch)。實驗表明在典型情況下,至少50%的讀取操作是連續(xù)讀取。預取功能簡單地說就是硬盤“私自”擴大讀取范圍,在緩沖區(qū)向主機發(fā)送指定扇區(qū)數(shù)據(jù)(即磁頭已經(jīng)讀完指定扇區(qū))之后,磁頭接著讀取相鄰的若干個扇區(qū)數(shù)據(jù)并送入緩沖區(qū),如果后面的讀操作IH好指向已預取的相鄰扇區(qū),就直接從緩沖區(qū)中讀取而不用磁頭再尋址,提髙了訪問速度。
寫緩存(WriteCache)0通常情況下,在寫入操作時,也足:先將數(shù)據(jù)寫入緩沖區(qū)再發(fā)送到磁頭,等磁頭寫入完畢后再報告主機寫入完畢,主機才開始處理F—任務。而具備寫緩存的硬盤則在數(shù)據(jù)寫入緩存區(qū)后即向主機報告寫入完畢,讓主機提前“解放”,開始處理其他事務(剩下的磁頭寫入操作主機不用等待),提高了整體效率。為了進一步提高效能,現(xiàn)在的廠商蓮本都應用了分段式緩存技術(shù)(MultipleSegmentCache),將緩沖區(qū)劃分成多個/jH用來存儲不同的寫入數(shù)據(jù),而不必為小數(shù)據(jù)浪貲整個緩沖區(qū)空間,同時還可以等所有段寫滿后統(tǒng)一寫入,性能更好。
讀緩存(ReadCache)。將讀取過的數(shù)據(jù)暫時保存在緩沖區(qū)中,如果主機再次需要時可直接從緩沖區(qū)提供,提高讀取速度。讀緩存同樣也可以利用分段技術(shù),存儲多個互不桕干的數(shù)據(jù)塊,緩存多個已讀數(shù)據(jù),進一步提高緩存命中率。
12、噪音與溫度(Noise&Temperature)
這兩個屬于非性能指標。對于噪音,以前廠商們并不在意,怛從2000年開始,由于市場的需要(比如OEM廠商希望生產(chǎn)更安靜的電腦以增加賣點),廠商開始采用各種手段來降低硬盤的工作噪音,ATA-5規(guī)范第三版也加入了自動聲學(噪音)管理子集(AAM,AutomaticAcousticManagement),因此目前的所有新硬盤都支持AAM功能。硬盤的噪音主要來源于主軸電機與音圈電機,降嘆也是從這兩點入手(盤片的增多也會增加噪音)。至于熱量,其實每個廠商都有自己的標準,并聲稱硬盤的表現(xiàn)是他們預料之中的,完全在安全范圍之內(nèi),沒有問題。這一點倒是不用祖心,不過關(guān)鍵在于硬盤是中的一個組成部分,它的高熱會提高的整體溫度,也許硬盤本身沒事,怛可能周圍的配件卻已經(jīng)受不了,別的不說,如果是兩個高熱的硬盤安裝得很緊密,那么承受近乎于雙倍的熱量嗎?所以硬盤的發(fā)熱量仍然需要注意。